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2020-08-24

一、主要特點:1、能根據薄膜的使用寬度進行電弱點的測試,測試寬度可根據用戶的要求而設定,無須將膜分切成小卷,免除了許多外來因素對測試結果的影響。2、測試數據能真實地反映薄膜的質量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍,美信,ABB等),有效地保證了設備的可靠性、耐用性和穩定性。4、測量,復現性好。5、測試過程采用電子技術全自動控制,遇到電弱點時電壓切斷動作迅速。6、擊穿電流在0~40mA連續可調,復現性好。7、多重保護功能,充分考慮了操作人員及設備的安全性。8、過壓、過流、...

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2020-08-24

據標準《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗方法》,電氣用塑料薄膜要求進行電弱點測試,在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(電弱點)數成為衡量薄膜成量的重要指標,那如何進行測試呢?此時就用到了電弱點測試儀。電氣用塑料薄膜電弱點測試儀,無須將膜卷分切成小卷,根據薄膜的使用寬度直接進行電弱點測試。由于薄膜在生過程中極易引起縱向劃傷,該儀器*引用“電弱線”概念,即在規定的時間內檢測到的試樣漏電流均超過1mA時,認定為該薄膜試樣在生產過程中存在縱向劃痕,從而產生“電弱線”,測試儀統...

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2020-08-21

在光電子學及其它高技術的發展中,薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應、非線性光學效應、壓電效應和熱釋電效應等多種特性,又具有便于平面化和集成化的特點,因而特別受到人們的重視。現在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機化學氣相淀積和金屬有機熱分解法等。為了充分發掘鐵電薄膜的功能,希望薄膜是...

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2020-08-20

臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料,在68℃附近電阻值發生突變,在狹小的溫區內,電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數量級,具有很大的負溫度系數。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc,不同的材料其臨界溫度Tc不同,如V2O3的臨界溫度為-100℃,Fe304為-150℃,VO2為68℃,Ti305為175℃,V305為140℃。Tc可以通過摻入適當的雜質提高或降低,如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間,摻入2%的Ge,可使Tc降到120℃左右。在臨界...

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2020-08-20

PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人,在BaTiO3材料中摻入微量元素,如Sb,La,Sm,Gd,Ho等,其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時當溫度超過材料的居里溫度,在幾十度溫度范圍內,其電阻率增大4~10個數量級,即產生所謂PTC效應。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結構。BaTiO3系半導體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...

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2020-08-19

半導體的導電,主要是由電子和空穴造成的。溫度增加,使電子動能增大,造成晶體中自由電子和空穴數目增加,因而使電導率升高。通常情況下電導率與溫度的關系為電阻率與溫度的關系為式中,B為與材料有關的常數,表示材料的電導活化能。某些材料的B值很大,它在感受微弱溫度變化時電阻率的變化十分明顯。有一類半導體陶瓷材料,在特定的溫度附近電阻率變化顯著。如“摻雜”的BaTiO3(添加稀土金屬氧化物)在其居里點附近,當發生相變時電阻率劇增103~106數量級。利用半導體陶瓷的電阻值對溫度的敏感特性...

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2020-08-18

半導體的能帶結構如圖4.2-23所示,下面是已被價電子占滿的允帶,中間為禁帶,上面是空帶。因此,在外電場作用下不能導電,但是這是零度時的情況。當外界條件發生變化時,例如溫度升高和有光照射時,滿帶中有少量電子有可能被激發到上面的空帶中去,在外電場作用下,這些電子將參與導電。同時,滿帶中由于少了一些電子,在滿帶頂部附近出現了一些空的量子狀態,滿帶變成了部分占滿的能帶,在外電場的作用下,仍留在滿帶中的電子也能夠起導電作用。滿帶電子的這種導電作用等效于把這些空的量子狀態看作帶正電荷的...

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