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日期:2024-11-04瀏覽:144次
Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能。目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測試時,樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實際釋放的能量密度,無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計開發(fā),更符合電介質(zhì)充放電原理。
典型的測試電路
華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度,可通過改變負(fù)載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)。通常測試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中,用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得所需的電阻,并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質(zhì)材料。在該電路中,選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲存的能量非常重要。該開關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機構(gòu)成。在測試中,測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度,測試樣品上的電壓可以由計算機自動獲得。
利用放電電路進行測試
與P-E回滯測量類似,在放電測試之前,應(yīng)在介電材料的表面制備導(dǎo)電電極,還應(yīng)測量可用于估計測試的放電速度的弱場介電特性。因為在測試中經(jīng)常涉及幾千伏的高電壓,所以介電材料通常浸入硅油中。測試者應(yīng)該確定他們感興趣的放電速度。放電速度可以通過樣品的低場電容C和負(fù)載電阻RL(RLC常數(shù))粗略計算。一旦確定了期望的放電速度,就可以選擇負(fù)載電阻器并將其連接到測試樣品,然后將充電電壓施加到介電材料。一旦樣品全部充電,然后通過按下電路盒上的放電按鈕關(guān)閉高速開關(guān),將儲存的能量釋放到負(fù)載電阻器,電阻器上電壓的時間依賴性就可由計算機自動記錄。
在此將以P(VDF-TrFE-CFE)三元共聚物(63/37/7.5)作為示例材料,來演示如何解釋放電結(jié)果。使用上圖所示的電路,表征三元共聚物對負(fù)載電阻器的放電行為。使用時間相關(guān)的電壓數(shù)據(jù)公式,可以計算放電能量密度的時間依賴性。圖中顯示了三元共聚物中不同充電電場的1MΩ負(fù)載的放電能量密度隨時間的變化。總放電能量密度與從單極P-E回路推導(dǎo)出的能量密度相當(dāng)。這里使用薄膜樣品的電容在1kHz下測量為約1nF。對幾種三元共聚物膜樣品進行表征發(fā)現(xiàn),由于極化響應(yīng)的非線性和頻率依賴性,三元共聚物的放電特性不能簡單地通過RC常數(shù)來描述,其中R是電阻(R=RL+ESR)假設(shè)電容器電容不隨頻率、電場和RC電路和RC電路的時間常數(shù)(τ=RLC+ESRXC)變化,如果RL>ESR,可以忽略ESRXC,,則放電能量密度與時間的關(guān)系如下: Uc(1)=UD(1-e-(21/t)) 式中,UD為放電能量。
為了便于比較,使用1nF的電容和1MΩ的負(fù)載電阻,利用公式來估算能量放電時間。70%能量釋放所需理論放電時間為0.6ms,50%能量釋放所需理論放電時間為0.35ms。而實驗中,這兩種能量釋放所需放電時間分別為0.66ms和0.3ms。估計值和測量值之間的差異反映了非線性[有效介電常數(shù)在高場(>100MV/m)變小]和介電響應(yīng)的頻率依賴性(介電常數(shù)在更高頻率或更短放電時間下變得更小)。此外,ESR在高頻(或短放電時間)下很小,并且在放電后時間變
長。
對于相同的三元共聚物薄膜電容器,其他負(fù)載電阻((RLL分別為100kΩ和1kΩ)下放電能量密度如圖所示。正如預(yù)期的那樣,減小的RL會縮短放電時間。然而,仔細(xì)檢查實驗數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),放電時間的減少與RL的減少不成比例。